机译:可变能量写入STT-RAM体系结构的耐变化的写入完成电路
机译:用于STT-RAM的STT-RAM写入能量减少的自我引用的单端电阻监测写入终止方案
机译:写脉冲和工艺变化对基于22nm FinFET的STT-RAM设计的影响:器件-架构协同优化方法
机译:具有按位写完成监视功能的可变能量写STT-RAM架构
机译:电路和架构协同设计或STT-RAM或高性能和低能耗。
机译:嘿谷歌提醒我在我的日记中写作:每日疼痛监测的语音助理
机译:STT-RAM缓存的运行时写故障抑制的自适应ECC方案